I²C（Inter-Integrated Circuit）

是內部整合電路的稱呼，是一種串列通訊匯流排，使用多主從架構，由飛利浦公司在1980年代為了讓主機板、嵌入式系統或手機用 以連接低速週邊裝置而發展。I²C的正確讀法為"I-squared-C" ，而"I-two-C"則是另一種錯誤但被廣泛使用的讀法，在中國則多以"I方C"稱之。截至2006年11月1日為止，使用I²C協定不需要為其專利付 費，但製造商仍然需要付費以獲得I²C從屬裝置位址。

I²C只使用兩條雙向開放集極（Open Drain）（串列資料（SDA）及串列時脈（SCL））並利用電阻將電位上拉。I²C允許相當大的工作電壓範圍，但典型的電壓準位為+3.3V或+5v。

I²C的參考設計使用一個7位元長度的位址空間但保留了16個位址，所以在一組匯流排最多可和112個節點通訊。常見的I²C匯流排依傳輸速率的不同而有不同的模式：標準模式（100 Kbit/s）、低速模式（10 Kbit/s），但時脈頻率可被允許下降至零，這代表可以暫停通訊。而新一代的I²C匯流排可以和更多的節點（支援10位元長度的位址空間）以更快的速率通訊：快速模式（400 Kbit/s）、高速模式（3.4 Mbit/s）。

雖然最大的節點數目是被位址空間所限制住，但實際上也會被匯流排上的總電容所限制住，一般而言為400 pF。

Setup/Hold time

Setup/Hold time 是測試晶片對輸入信號和時鐘信號之間的時間要求，是接收器本身的特性。

如果不滿足建立和保持時間的話，那麼DFF（D type flip-flop/D類型觸發器） 將不能正確地採樣到資料，將會出現亞穩態（metastability ）的情況。如果資料信號在時鐘沿觸發前後持續的時間均超過建立和保持時間，那麼超過量就分別被稱為建立時間裕量和保持時間裕量。

Setup time

建立時間（setup time）是指觸發器的時鐘信號上升沿到來以前，資料穩定不變的時間。輸入信號應提前時鐘上升沿（如上升沿有效）T 時間到達晶片，這個T 就是建立時間Setup time。簡而言之，時鐘邊沿觸發前，要求資料必須存在一段時間，這就是器件需要的建立時間。

佈線（Layout）是PCB設 計工程師最基本的工作技能之一。走線的好壞將直接影響到整個系統的性能，

大多數高速的設計理論也要最終經過Layout得以實現並驗證，由此可見，佈線在 高速PCB設計中是至關重要的。下面將針對實際佈線中可能遇到的一些情況，分析其合理性，並給出一些比較優化的走線策略。主要從直角走線，差分走線，蛇形 線等三個方面來闡述。
1． 直角走線
直角走線一般是PCB佈線中要求儘量避免的情況，也幾乎成為衡量佈線好壞的標準之一，那麼直角走線究竟會對信號傳輸產生多大的影響呢？從原理上說，直角走線會使傳輸線的線寬發生變化，造成阻抗的不連續。其實不光是直角走線，頓角，銳角走線都可能會造成阻抗變化的情況。
　　

常見硬體技術語大全

CPU術語 一、CPU術語解釋　　

3DNow!： (3D no waiting)AMD公司開發的SIMD指令集，可以增強浮點和多媒體運算的速度，它的指令數為21條。　　

ALU： (Arithmetic Logic Unit，算術邏輯單元)在處理器之中用於計算的那一部分，與其同級的有資料傳輸單元和分支單元。　　BGA：(Ball Grid Array，球狀矩陣排列)一種晶片封裝形式，例：82443BX。　　

NPO/X7R/Z5U/Y5V

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由於填充介質不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
NPO 電容器：
NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO 電容器是電容量和介質損耗最穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小於±0.3ΔC。 NPO電容的漂移或滯後小於±0.05%,相對大於±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小於±0.1%。NPO電容器 隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量範圍。

ESR/ESL

ESR(Equivalent Series Resistance)：

等效串聯電阻。 ESR的出現導致電容的行為背離了原始的定義。ESR是等效“串聯”電阻，意味著，將兩個電容串聯，會增大這個數值，而並聯則會減少之。

理論上，一個完美的電容，自身不會產生任何能量損失，但是實際上，因為製造電容的材料有電阻，電容的絕緣介質有損耗，各種原因導致電容變得不“完美”。這個損耗在外部，表現為就像一個電阻跟電容串聯在一起，所以就起了個名字叫做“等效串聯電阻”。

比如，我們認為電容上面電壓不能突變，當突然對電容施加一個電流，電容因為自身充電，電壓會從0開始上升。但是有了ESR，電阻自身會產生一個壓降，這就導致了電容器兩端的電壓會產生突變。無疑的，這會降低電容的濾波效果，所以很多高品質的電源啦一類的，都使用低ESR的電容器。

波峰焊 & 回流焊

波峰焊：

波峰焊是讓外掛電路板的焊接面直接與高溫液態錫接觸達到焊接目的，其高溫液態錫保持一個斜面，並由特殊裝置使液態錫形成一道道類似波浪的現象，所以叫"波峰焊"

回流焊：

共模扼流圈(Common mode Choke)：

也叫共模電感，是在一個閉合磁環上對稱繞制方向相反、匝數相同的線圈。

理想的共模扼流圈對L（或N）與E 之間的共模干擾具有抑制作用，而對L 與N 之間存在的差模干擾無電感抑制作用。

但實際線圈繞制的不完全對稱會導致差模漏電感的產生。

信號電流或電源電流在兩個繞組中流過時方向相反，產生的磁通量相互抵消，扼流圈呈現低阻抗。

SDRAM：

單數據速率SDRAM（SDR SDRAM）被認為是最早的SDRAM，單數據速率SDRAM在每個時鐘周期可以接收一個命令和傳輸一個計算機字。典型的時鐘頻率為100和133MHz。晶片有多種不同的數據匯流排大小（最常見的是4、8或16bits），但是晶片一般被組裝成168-pin的雙線內存模組，可以同時讀寫64bits(非ECC)或72bits(ECC)。 ^[3] 數據匯流排的使用很複雜，需要一個複雜的DRAM控制器。這是因為寫入DRAM的數據必須和一個寫命令在同一個周期，而讀數據可以在讀命令後產生輸出2或3個周期。DRAM控制器必須確認數據匯流排永不同時讀和寫。

典型的單數據速率SDRAM時鐘頻率為66、100和133MHz(周期分別為15、10和7.5奈秒)時鐘頻率到150MHz的則可用於性能的發燒友。

DDR SDRAM：

雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（英語：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱DDR SDRAM）為具有雙倍資料傳輸率之SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈之兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。

如何計算電容壽命?

漣波電流( Ripper Current ) 測試方法 :
a.調定所需測試電容的頻率.
b.將2 個相等電容量的電容器串聯.
c.調定直流電壓約為電容器額定電壓之80% .

 乙太網PHY和MAC

乙太網PHY和MAC對應OSI模型的兩個層——實體層和資料連結層。

實體層定義了資料傳送與接收所需要的電與光信號、線路狀態、時鐘基準、資料編碼和電路等，並向資料連結層設備提供標準介面（RGMII / GMII / MII）。

資料連結層則提供定址機構、資料幀的構建、資料差錯檢查、傳送控制、向網路層提供標準的資料介面等功能

PHY：

MII是英文Medium Independent Interface的縮寫，翻譯成中文是“介質獨立介面”，該介面一般應用於乙太網硬體平臺的MAC層和PHY層之間，MII介面的類型有很多，常用的有MII、RMII、SMII、SSMII、SSSMII、GMII、RGMII、SGMII、TBI、RTBI、XGMII、XAUI、XLAUI等。下面對它們進行一一介紹。

MII介面：

TXD(Transmit Data)[3:0]：資料發送信號，共4根信號線；

RXD(Receive Data)[3:0]：資料接收信號，共4根信號線；

TX_ER(Transmit Error)： 發送資料錯誤提示信號，同步于TX_CLK，高電平有效，表示TX_ER有效期內傳輸的資料無效。對於10Mbps速率下，TX_ER不起作用；